日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業界首款帶有同體封裝的190V功率二極管的190V n通道功率MOSFET——SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm的較小占位面積以及0.75mm的超薄厚度。采用PowerPAK SC-70封裝的SiA850DJ還是在1.8V VGS時具有導通電阻額定值的業界首款此類器件。

SiA850DJ的典型應用將包括面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉化器以及手機、PDA、MP3播放器及智能電話等便攜式設備中的有機LED(OLED)背光。

將MOSFET及功率二極管整合到同一封裝可幫助設計人員節約至少三分之一的PCB面積，同時由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在2.5V時達到導通電阻額定值，而SiA850DJ在1.8V時便可達到導通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進一步節約了板面空間。該器件的導通電阻值范圍介于1.8V VGS時17Ω～4.5V VGS時3.8Ω，0.5A時二極管正向電壓為1.2 V。

SiA850DJ 100%無鉛(Pb)，無鹵素，并且符合RoHS規范，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。

目前，新型SiA850DJ的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。